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    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订3000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:6.1A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2029USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1171pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2408-TL-H 起订2137个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2408-TL-H 起订2137个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":5270,"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2408-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2409-TL-H 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4483}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2409-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1163}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订1817个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4151PT1G 起订1817个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":303000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:67mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3056LSSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3056LSSQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SSD-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SSD-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324 起订100个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2324 起订100个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2324

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3404B 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3404B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:526pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:69pF@15V

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2029USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1171pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2324A-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2324A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J771G,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J771G,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J771G,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@3A,8.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVT-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVT-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFC3401 起订25个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFC3401 起订25个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFC3401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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