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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
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功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
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栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
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功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3404B
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功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3404B
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功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
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品牌：谷峰
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3404B
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功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3404B
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功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
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栅极电荷：12.2nC@10V
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输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G3404B
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功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
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输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
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反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
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输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
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反向传输电容：69pF@15V
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功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
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栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
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输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
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输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
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栅极电荷：12.2nC@10V
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输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
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功率：1.2W
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栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
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功率：1.2W
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栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
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功率：1.2W
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ECCN：EAR99
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输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSSQ-13
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功率：1.2W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
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阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3404B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：69pF@15V
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
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工作温度：-55℃~+150℃
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阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2244
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.293nF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
