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    TI Mosfet场效应管 CSD85302LT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85302LT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85302LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP018-30QLJ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PXP018-30QLJ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PXP018-30QLJ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:7.5A€19.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6802SDTRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6802SDTRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6802SDTRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@35µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@13V

    连续漏极电流:16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@16A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8-SOIC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85302L 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85302L 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85302L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPEZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPEZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21311C 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD21311C 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD21311C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPEZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPEZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4010SK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4010SK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4010SK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4010SK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订75000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订75000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订11个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305 起订11个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4484 起订15000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4484 起订15000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4484

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订21000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订21000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3010LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6234pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85302LT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85302LT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85302LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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