品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP018-30QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:7.5A€19.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):8-SOIC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSD21311C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4010SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4010SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:15A€50A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2305
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4484
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3010LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6234pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSD21313C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85302LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":912}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存: