采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147FTU
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：125W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1835-E
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1700pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1835-E
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1700pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1200}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：1080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147FTU
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：125W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1835-E
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：1700pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：7Ω@2A，15V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
连续漏极电流：80A
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
栅极电荷：57nC@10V
功率：125W
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1200}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：125W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：1080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147FTU
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：125W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1200}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：557}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1003DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4000，"18+"：2333}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-E0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1200}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1200}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0603DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：1080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：TIP147FTU
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：10A
功率：125W
集电集截止电流(Icbo)：2mA
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，10A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1835-E
连续漏极电流：4A
工作温度：150℃
输入电容：1700pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：1500V
功率：125W
包装方式：管件
ECCN：EAR99
导通电阻：7Ω@2A，15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
