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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€210W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€84W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VDK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH2R106NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@55A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6R7P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：66W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1990pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K341TU，LF
工作温度：175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
