品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:750W
阈值电压:5.2V@47mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@18V
包装方式:管件
输入电容:9170nF@25V
连续漏极电流:225A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@108A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:5.2V@23.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4580nF@25V
连续漏极电流:127A
类型:N沟道
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@18V
包装方式:管件
输入电容:454pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@6A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":240,"21+":5040,"22+":15600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":40}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:352W
阈值电压:4.4V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3175pF@800V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@40A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG014N120M3P
工作温度:-55℃~175℃
功率:454W
阈值电压:4.63V@37mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:337nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6313pF@800V
连续漏极电流:104A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@74A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":321,"23+":2750}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:181W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1145pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:83mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:托盘
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC017SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:2.7V@4.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:249nC@20V
包装方式:散装
输入电容:5280pF@1000V
连续漏极电流:113A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€468W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:8.6A€98A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R014M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:5.2V@23.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4580nF@25V
连续漏极电流:127A
类型:N沟道
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: