采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R660CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF360A70L
工作温度：-55℃~150℃
功率：29.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF360A70L
工作温度：-55℃~150℃
功率：29.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N600CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：743pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：180，"22+"：75，"23+"：1540}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R080CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：391W
阈值电压：4.5V@1.76mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5030pF@100V
连续漏极电流：43.3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N600CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：743pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF360A70L
工作温度：-55℃~150℃
功率：29.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：180，"22+"：75，"23+"：1540}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R080CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：391W
阈值电压：4.5V@1.76mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5030pF@100V
连续漏极电流：43.3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：180，"22+"：75，"23+"：1540}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R080CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：391W
阈值电压：4.5V@1.76mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5030pF@100V
连续漏极电流：43.3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：180，"22+"：75，"23+"：1540}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R080CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：391W
阈值电压：4.5V@1.76mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5030pF@100V
连续漏极电流：43.3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
