品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":430}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":57}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCI25N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2710T
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7280pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:20nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
输入电容:1260pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@25A,5V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:20nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
输入电容:1260pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@25A,5V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2710T
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7280pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2710T
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7280pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF2710T
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7280pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":430}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":57}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCI25N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":50,"22+":233,"23+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH25N60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":57}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCI25N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":57}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCI25N60N-F102
工作温度:-55℃~150℃
功率:216W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3352pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: