采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN110N120A4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，110A
关断延迟时间：550ns
关断损耗：8.4mJ
开启延迟时间：42ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：305nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2800，"22+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYP60N65A5
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.35V@15V，36A
关断延迟时间：230ns
关断损耗：1.45mJ
开启延迟时间：28ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：0.6mJ
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SEMIQUARZ
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GP2T040A120H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：322W
阈值电压：4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3.192nF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2800，"22+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYP60N65A5
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.35V@15V，36A
关断延迟时间：230ns
关断损耗：1.45mJ
开启延迟时间：28ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：128nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：0.6mJ
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
