销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

电阻比：22kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kOhms

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

电阻比：22kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kOhms

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

电阻比：100kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：散装

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10kOhms

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

电阻比：100kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

电阻比：100kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：82 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

电阻比：22kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kOhms

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：散装

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}

输入电阻：10kOhms

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

ECCN：EAR99

晶体管类型：PNP - 预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

特征频率：180MHz

集电集截止电流(Icbo)：100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 500µA，10mA

输入电阻：4.7kOhms

晶体管类型：PNP - 预偏压

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

功率：340mW

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kOhms

特征频率：250MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：散装

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：47kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：246mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：散装

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极电流(Ic)：500mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

电阻比：10kOhms

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kOhms

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：340mW

晶体管类型：PNP - 预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：246mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

输入电阻：4.7kOhms

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

晶体管类型：PNP - 预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

电阻比：47kOhms

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1