采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10kOhms
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：63825，"MI+"：15000}
输入电阻：10kOhms
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
特征频率：200MHz
功率：200mW
集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）
ECCN：EAR99
晶体管类型：PNP - 预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
包装规格(MPQ)：1psc
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
电阻比：10kOhms
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kOhms
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：散装
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
