品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS100N06RA
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRB80N08A
功率:165W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS100N20HGC0
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC
输入电容:4.057nF
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:161pF
导通电阻:38mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS100N20IDC0
工作温度:-55℃~+150℃
功率:187.5W€375W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:130nC
输入电容:5.871nF
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:165pF
导通电阻:23mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR80N08A
功率:165W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR80N08A
功率:165W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR80N08A
功率:165W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS100N20HGC0
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC
输入电容:4.057nF
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:161pF
导通电阻:38mΩ@10V,50A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRB80N08A
功率:165W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD100N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:390W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:9.65nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:57pF@25V
导通电阻:23mΩ@10V,40A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD100N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:390W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:9.65nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:57pF@25V
导通电阻:23mΩ@10V,40A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD100N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:390W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:9.65nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:57pF@25V
导通电阻:23mΩ@10V,40A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS100N06RA
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD100N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:390W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:9.65nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:57pF@25V
导通电阻:23mΩ@10V,40A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD100N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:390W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:9.65nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:57pF@25V
导通电阻:23mΩ@10V,40A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS100N06RA
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD100N20
栅极电荷:152nC@10V
类型:1个N沟道
反向传输电容:57pF@25V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:100A
导通电阻:23mΩ@10V,40A
输入电容:9.65nF@25V
漏源电压:200V
功率:390W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
漏源电压:80V
功率:1.6W
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: