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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:115mΩ@10V,10A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订数200个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订数200个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:115mΩ@10V,10A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订数40个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP350PBF 起订数40个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:150nC@10V

    输入电容:2.6nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,9.6A

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT16N65HF 起订500个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT16N65HF 起订500个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT16N65HF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:57nC@10V

    输入电容:1.078nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:10pF@25V

    导通电阻:550mΩ@10V,8A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU3910PBF 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:115mΩ@10V,10A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订数150个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC60LCPBF 起订数150个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:120nC@10V

    输入电容:3.5nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@10V,9.6A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订728个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订728个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD16N25CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD16N25CTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.08nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,8A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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