品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:2.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,9.6A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT16N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:57nC@10V
输入电容:1.078nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@25V
导通电阻:550mΩ@10V,8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:120nC@10V
输入电容:3.5nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,9.6A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: