采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT16N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：57nC@10V
输入电容：1.078nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：550mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：967}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT16N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：57nC@10V
输入电容：1.078nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：550mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD16N25CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：53.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@10V，8A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT16N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：57nC@10V
输入电容：1.078nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：550mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT16N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：57nC@10V
输入电容：1.078nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：550mΩ@10V，8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
