采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04NHE-S18-AY
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：100，"12+"：212350，"13+"：15500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04MHE-S18-AY
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：182nC@10V
输入电容：5.5nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，40A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：3.85nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，40A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04NHE-S18-AY
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：100，"12+"：212350，"13+"：15500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04MHE-S18-AY
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04KHE-E1-AZ
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"16+"：2250}
规格型号(MPN)：NP80N04NHE-S18-AY
栅极电荷：60nC@10V
连续漏极电流：80A
导通电阻：8mΩ@40A，10V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250μA
功率：1.8W€120W
ECCN：EAR99
输入电容：3.3nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
功率：156W
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
功率：156W
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04KHE-E1-AZ
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04KHE-E1-AZ
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：182nC@10V
输入电容：5.5nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，40A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB140NF55T4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：193pF@30V
导通电阻：3.1mΩ@10V，40A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：193pF@30V
导通电阻：3.1mΩ@10V，40A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
功率：110W
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：2.2nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：54nC@10V
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04KHE-E1-AZ
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N04KHE-E1-AZ
功率：1.8W€120W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
