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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

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    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

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    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04MHE-S18-AY 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":100,"12+":212350,"13+":15500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04MHE-S18-AY

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

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    连续漏极电流:80A

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    导通电阻:8mΩ@40A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04NHE-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":2250}

    规格型号(MPN):NP80N04NHE-S18-AY

    栅极电荷:60nC@10V

    连续漏极电流:80A

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    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    阈值电压:4V@250μA

    功率:1.8W€120W

    ECCN:EAR99

    输入电容:3.3nF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    功率:156W

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    功率:156W

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

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    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订220个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订220个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4F3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4F3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86150 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86150

    功率:156W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.85mΩ@10V,16A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB140NF55T4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB140NF55T4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB140NF55T4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:142nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD140N6F7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:134W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.1nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:193pF@30V

    导通电阻:3.1mΩ@10V,40A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD140N6F7 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD140N6F7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:134W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.1nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:193pF@30V

    导通电阻:3.1mΩ@10V,40A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4F3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4F3

    功率:110W

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    阈值电压:4V@250μA

    输入电容:2.2nF@25V

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:54nC@10V

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N04KHE-E1-AZ 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N04KHE-E1-AZ

    功率:1.8W€120W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3.3nF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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