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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.8nC@10V
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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