品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
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功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
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功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
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行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
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功率:62.5W
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栅极电荷:16.5nC@10V
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连续漏极电流:4.4A
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导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
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规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
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功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
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栅极电荷:16.5nC@10V
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规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
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功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
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功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19.6nC@10V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19.6nC@10V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19.6nC@10V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
阈值电压:4V@250μA
输入电容:321pF@100V
功率:62.5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
连续漏极电流:4.4A
漏源电压:800V
栅极电荷:16.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:19.6nC@10V
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
阈值电压:4V@250μA
功率:62.5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:800V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
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