品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2525L,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:34.7nC@4.5V
输入电容:4.47nF@12V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19.6nC@10V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19.6nC@10V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19.6nC@10V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2525L,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:34.7nC@4.5V
输入电容:4.47nF@12V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:321pF@100V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP5N80AE-GE3
阈值电压:4V@250μA
输入电容:321pF@100V
功率:62.5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@1.5A,10V
连续漏极电流:4.4A
漏源电压:800V
栅极电荷:16.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:19.6nC@10V
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
阈值电压:4V@250μA
功率:62.5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:800V
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存: