品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:3.5V@700μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:250pF@500V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@10V,1.4A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G60N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.8nF@20V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@20V
导通电阻:5.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3060LW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
输入电容:395pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3ENX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:914pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@15V
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT10N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17W
阈值电压:2V
栅极电荷:4.3nC@10V
输入电容:206pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.4pF@50V
导通电阻:115mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.18nF@40V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN010-30QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:28A€10.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@60V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:93nC@10V
输入电容:5.95nF@25V
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:690mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW16N50C3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:3.9V@675μA
栅极电荷:66nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,10A
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC010N08M7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€78.1W
阈值电压:4.5V@120μA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.7nF@40V
连续漏极电流:12.5A€61A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@40V
导通电阻:7.6mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: