品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN6R2-25QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€40.3W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.5nC@10V
输入电容:1.2nF@12.5V
连续漏极电流:13.1A€65A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.2mΩ@13.1A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LNTK2575LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.2nC@4.5V
输入电容:49pF@10V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@10V
导通电阻:249mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFML8244TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.35V@10μA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5.8A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1123,"21+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12091,"23+":3390,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1123,"21+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12091,"23+":3390,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN6R2-25QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€40.3W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.5nC@10V
输入电容:1.2nF@12.5V
连续漏极电流:13.1A€65A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.2mΩ@13.1A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PH2525L,115
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:34.7nC@4.5V
输入电容:4.47nF@12V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFML8244TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.35V@10μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@10V,5.8A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN7R7-25QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:770pF@12.5V
连续漏极电流:32A€11.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.7mΩ@11.8A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€40.3W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.5nC@10V
输入电容:1.2nF@12.5V
连续漏极电流:13.1A€65A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.2mΩ@13.1A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
类型:1个N沟道
漏源电压:25V
功率:37W€2.1W
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:40A€16A
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
类型:1个N沟道
漏源电压:25V
功率:37W€2.1W
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:40A€16A
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:800mV
输入电容:9.5pF
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.3pF
导通电阻:4Ω@4.5V,0.2A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:800mV
输入电容:9.5pF
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.3pF
导通电阻:4Ω@4.5V,0.2A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ036NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W€2.1W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.2nF@12V
连续漏极电流:40A€16A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:800mV
输入电容:9.5pF
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.3pF
导通电阻:4Ω@4.5V,0.2A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV301N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:800mV
输入电容:9.5pF
连续漏极电流:220mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.3pF
导通电阻:4Ω@4.5V,0.2A
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: