销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISF02DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2.3V@250μA

栅极电荷：56nC@10V

输入电容：2.65nF@10V

连续漏极电流：30.5A€60A

类型：2个N沟道

导通电阻：3.5mΩ@7A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：460mW

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：950mA

类型：MOSFET

导通电阻：450mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PXN6R2-25QLJ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.7W€40.3W

阈值电压：2.2V@250μA

栅极电荷：25.5nC@10V

输入电容：1.2nF@12.5V

连续漏极电流：13.1A€65A

类型：1个N沟道

导通电阻：6.2mΩ@13.1A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：460mW

阈值电压：1V

栅极电荷：1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：950mA

类型：MOSFET

导通电阻：450mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：460mW

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：950mA

类型：MOSFET

导通电阻：450mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMG1012UWQ-7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：460mW

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：950mA

类型：MOSFET

导通电阻：450mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDV304P

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.5nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：63pF@10V

连续漏极电流：460mA

类型：1个P沟道

导通电阻：1.1Ω@4.5V，500mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：365A

类型：MOSFET

导通电阻：680μΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS0D8N02P1ET1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：365A

类型：MOSFET

导通电阻：680μΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：26W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LNTK2575LT1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：280mW

阈值电压：1.5V@250μA

栅极电荷：1.2nC@4.5V

输入电容：49pF@10V

连续漏极电流：750mA

类型：1个N沟道

反向传输电容：8pF@10V

导通电阻：249mΩ@4.5V，600mA

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1