销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：26W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25W

阈值电压：2.35V@10μA

栅极电荷：5.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：430pF@10V

连续漏极电流：5.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，5.8A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：1123，"21+"：9900}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ009NE2LS5ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：92nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：960μΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：12091，"23+"：3390，"MI+"：5000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：1123，"21+"：9900}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：12091，"23+"：3390，"MI+"：5000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：26W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC050NE2LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：58A

类型：MOSFET

导通电阻：5mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.25W

阈值电压：2.35V@10μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：430pF@10V

连续漏极电流：5.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：24mΩ@10V，5.8A

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSG0811ND

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：1.6V

栅极电荷：5.6nC€20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：50A€50A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4mΩ€3.2mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1