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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
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输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
输入电容：352pF@15V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，1.14A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，2.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV55UNR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
输入电容：352pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：66mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，1.14A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，2.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
