采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
栅极电荷：6.4nC@4.5V
连续漏极电流：8A
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
输入电容：515pF@6V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
输入电容：424pF@5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2302
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1014UFDF-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
输入电容：515pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：23.4nC@8V
输入电容：995pF@6V
连续漏极电流：12.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
输入电容：315pF@40V
栅极电荷：8.6nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
输入电容：315pF@40V
栅极电荷：8.6nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：140mΩ@10V，1.8A
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：650pF@15V
栅极电荷：13nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
