销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2301ALT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:600mV@250μA
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:10pF@15V
导通电阻:90mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2301ALT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:600mV@250μA
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:10pF@15V
导通电阻:90mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2302
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@10V
导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
输入电容:515pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:375pF@6V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
类型:1个P沟道
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13
栅极电荷:6.4nC@4.5V
连续漏极电流:8A
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
导通电阻:16mΩ@2A,4.5V
输入电容:515pF@6V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:2.2V@250μA
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
输入电容:424pF@5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
输入电容:486pF@10V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2301ALT1G
导通电阻:90mΩ@4.5V,2.8A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
阈值电压:600mV@250μA
反向传输电容:10pF@15V
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2302
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@10V
导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: