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    工作温度: -55℃~+150℃
    功率: 700mW
    当前匹配商品:60+
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    DIODES Mosfet场效应管 BS250P 起订数40000个
    DIODES Mosfet场效应管 BS250P 起订数40000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:230mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14Ω@10V,200mA

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订数15000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订数15000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051L-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.2V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@5V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订147个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订147个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2301A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:55pF@10V

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订1050个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订1050个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2301A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:55pF@10V

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订153个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订153个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2301A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:55pF@10V

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7 起订数45000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7 起订数45000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:864pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LP2301ALT1G 起订33个装
    LRC Mosfet场效应管 LP2301ALT1G 起订33个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LP2301ALT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:600mV@250μA

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:10pF@15V

    导通电阻:90mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LP2301ALT1G 起订5000个装
    LRC Mosfet场效应管 LP2301ALT1G 起订5000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LP2301ALT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:600mV@250μA

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:10pF@15V

    导通电阻:90mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051L-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.2V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@5V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2302 起订262个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2302 起订262个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2302

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF@10V

    导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    输入电容:515pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:375pF@6V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1014UFDF-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1014UFDF-13

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    连续漏极电流:8A

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1V@250μA

    导通电阻:16mΩ@2A,4.5V

    输入电容:515pF@6V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051L-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051L-7

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    阈值电压:2.2V@250μA

    导通电阻:38mΩ@10V,5.8A

    输入电容:424pF@5V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个N沟道

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:6A

    输入电容:486pF@10V

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LP2301ALT1G 起订33个装
    LRC Mosfet场效应管 LP2301ALT1G 起订33个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LP2301ALT1G

    导通电阻:90mΩ@4.5V,2.8A

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    阈值电压:600mV@250μA

    反向传输电容:10pF@15V

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个P沟道

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订450个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订450个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2301A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:55pF@10V

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订137个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2301A 起订137个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2301A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:55pF@10V

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2302 起订248个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL2302 起订248个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL2302

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF@10V

    导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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