品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@60V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:8mΩ@10V,35A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@60V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@60V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:8mΩ@10V,35A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@60V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB66613L
栅极电荷:110nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:120A€44.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250μA
输入电容:5.3nF@30V
功率:260W€8.3W
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB66613L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W€8.3W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:5.3nF@30V
连续漏极电流:120A€44.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: