品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA67N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:72.5nC@10V
输入电容:3.4nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
导通电阻:72mΩ@10V,26A
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:8.66nF@100V
功率:481W
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
连续漏极电流:52A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH072N60F
导通电阻:72mΩ@10V,26A
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:8.66nF@100V
功率:481W
类型:1个N沟道
漏源电压:600V
连续漏极电流:52A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX52N100X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25kW
阈值电压:6V@4mA
栅极电荷:245nC@10V
输入电容:6.725nF@25V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@26A,10V
漏源电压:1kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA67N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:72.5nC@10V
输入电容:3.4nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA67N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:72.5nC@10V
输入电容:3.4nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB52N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.9nF@25V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:481W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:215nC@10V
输入电容:8.66nF@100V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@10V,26A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB52N20TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.9nF@25V
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: