采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G8N03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@15V
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G8N03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@15V
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：1.15nC@5V
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4484SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：27.2nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：135pF@15V
导通电阻：12mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.34nC@4.5V
输入电容：390pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@15V
导通电阻：55mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：4.76nC@4.5V
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G8N03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@15V
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4484SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：27.2nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：135pF@15V
导通电阻：12mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
