品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402A
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:2.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.38Ω@4.5V,750mA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402A
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402A
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD3400
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:545pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:545pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD3400
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
输入电容:545pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:1.15nC@5V
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@4V,10mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402A
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402A
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402A
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2306LT1G
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2306LT1G
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@10V,5.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: