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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3053L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：676pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.8A
阈值电压：1.4V@250μA
功率：1.4W
输入电容：305pF@5V
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：5.8A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：305pF@5V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：88mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.8A
阈值电压：1.4V@250μA
功率：1.4W
输入电容：305pF@5V
导通电阻：85mΩ@4.5V，3.6A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
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