品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3400L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:9.5nC@4.5V
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4484SC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:27.2nC@10V
输入电容:1.5nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:135pF@15V
导通电阻:12mΩ@4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4484SC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:27.2nC@10V
输入电容:1.5nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:135pF@15V
导通电阻:12mΩ@4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:676pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16327Q3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@12.5V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@24A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@10V,3.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:676pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3053L-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:676pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS4484SC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:27.2nC@10V
输入电容:1.5nF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:135pF@15V
导通电阻:12mΩ@4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G30N03D3
栅极电荷:13nC@10V
阈值电压:1.4V@250μA
反向传输电容:40pF@15V
功率:24W
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ
输入电容:825pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存: