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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4522J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@Vgs=10V
输入电容：3.09nF@Vds=20V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：273pF@Vds=20V
导通电阻：17mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
输入电容：1.56nF@15V
连续漏极电流：100A€21A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4522J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@Vgs=10V
输入电容：3.09nF@Vds=20V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：273pF@Vds=20V
导通电阻：17mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4522J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@Vgs=10V
输入电容：3.09nF@Vds=20V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：273pF@Vds=20V
导通电阻：17mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4266SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250μA
输入电容：1.34nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@30V
导通电阻：15mΩ@4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.25V@250μA
栅极电荷：45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.3nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：370pF@10V
导通电阻：4.9mΩ@4.5V，20A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32368
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
功率：3.1W
类型：1个N沟道
阈值电压：2.4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.27nF@15V
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
