品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:680pC@4.5V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@4.5V,350mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:1.82nC@4.5V
输入电容:110pF@16V
连续漏极电流:915mA
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:750mA
功率:900mW
栅极电荷:800pC@4.5V
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:33pF@16V
阈值电压:1.1V@250μA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N02D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:445pF@10V
导通电阻:2.8mΩ@4.5V,30A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N02D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:445pF@10V
导通电阻:2.8mΩ@4.5V,30A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N02D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:445pF@10V
导通电阻:2.8mΩ@4.5V,30A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT100N02D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:445pF@10V
导通电阻:2.8mΩ@4.5V,30A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCB60XNZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:7W€480mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:241pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3134KL3A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:1.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: