品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€1.14W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:360mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,350mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260mW€830mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:56pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@320mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: