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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86250
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功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
ECCN：EAR99
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：22mΩ@10V，8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：3.1W€132W
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：8A€50A
输入电容：2.11nF@75V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：22mΩ@10V，8A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：3.1W€132W
栅极电荷：33nC@10V
连续漏极电流：8A€50A
输入电容：2.11nF@75V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€132W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：2.11nF@75V
连续漏极电流：8A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，8A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€26.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.65nF@15V
连续漏极电流：60A€22A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
