采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4913J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：40nC@Vgs=10V
输入电容：1.227nF@Vds=20V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF@Vds=20V
导通电阻：10mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：2.5nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：78pF@25V
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.7nF@100V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：2.5nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：78pF@25V
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBL082N65S3HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：313W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：79nC@10V
输入电容：3.33nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
