销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3.33nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,17A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3.33nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,17A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH34N65X2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3.33nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,17A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3.33nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,17A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3.33nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@10V,17A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP34N65X2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3.33nF@25V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,17A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF43N60DM2
类型:1个N沟道
功率:40W
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:93mΩ@17A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF43N60DM2
类型:1个N沟道
功率:40W
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:93mΩ@17A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP34N65X2
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
导通电阻:100mΩ@10V,17A
连续漏极电流:34A
功率:540W
输入电容:3.33nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: