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    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:800+
    商品信息
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订39个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UT-13 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UT-13 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:290mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:700pC@4.5V

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UTQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2710UTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:42pF@16V

    连续漏极电流:870mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UFZ-7B 起订40个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UFZ-7B 起订40个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UFZ-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@16V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT616MLSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3071LFR4-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3071LFR4-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UT-13 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:350pC@4.5V

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订数15000个
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订数15000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LTQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LTQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LTQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:550pC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UWQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2710UWQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2710UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:42pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:400pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订58个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D5L-13 起订58个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D5L-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:1.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LTQ-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LTQ-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LTQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:240mW

    阈值电压:1.5V@100μA

    栅极电荷:550pC@10V

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3028LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3028LQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:10.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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