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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
输入电容：474pF@25V
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
连续漏极电流：8A
漏源电压：900V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
类型：1个N沟道
栅极电荷：13.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
