采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LTQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：550pC@10V
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTA7002NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：11.5pF@5V
连续漏极电流：154mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.5pF@5V
导通电阻：1.4Ω@4.5V，154mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：1.5V@100μA
栅极电荷：1.3nC@5V
输入电容：33pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4.5V，10mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1.5V@100μA
类型：1个N沟道
输入电容：20pF@5V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：3Ω@4.5V，10mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：238mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：270mA
漏源电压：30V
阈值电压：1.5V@100μA
输入电容：33pF@5V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.3nC@5V
功率：330mW
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@4V，10mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
