采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：5.669nF@25V
连续漏极电流：202A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，121A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
阈值电压：4V@250μA
输入电容：897pF@20V
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：14.6A€52.4A
功率：2.82W€36.6W
栅极电荷：12.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3004TRL7PP
工作温度：-55℃~+175℃
功率：380W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.13nF@25V
连续漏极电流：240A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25mΩ@195A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRFS3004TRL7PP
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250μA
功率：380W
输入电容：9.13nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：240nC@10V
连续漏极电流：240A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.25mΩ@195A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：5.669nF@25V
连续漏极电流：202A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，121A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：5.669nF@25V
连续漏极电流：202A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，121A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@10V，75A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C464NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：41.9nC@10V
输入电容：2.026nF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：5.669nF@25V
连续漏极电流：202A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，121A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：59A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：240nC@10V
输入电容：6.45nF@25V
连续漏极电流：195A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
