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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8878
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功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17.9W€3.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：12A€10.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
输入电容：897pF@15V
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
栅极电荷：26nC@10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
输入电容：897pF@15V
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
栅极电荷：26nC@10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1514G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：1.535nF@50V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8.2pF@50V
导通电阻：11.6mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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