品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:2.03nF@25V
连续漏极电流:45A€8.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI040P04D1-AQ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:59nC@10V
输入电容:3.538nF@20V
连续漏极电流:40A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G75P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:106nC@10V
输入电容:5.38nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G90P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.331nF@60V
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
反向传输电容:612pF@60V
导通电阻:5.8mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G90P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.331nF@60V
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
反向传输电容:612pF@60V
导通电阻:5.8mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G90P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.331nF@60V
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
反向传输电容:612pF@60V
导通电阻:5.8mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G75P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:106nC@10V
输入电容:5.38nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4712G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:3.7nF@20V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:290pF@20V
导通电阻:10mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
漏源电压:40V
连续漏极电流:45A
功率:70W
栅极电荷:52.2nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:14mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
栅极电荷:23nC@4.5V
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:46A€8.8A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:2.767nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
漏源电压:40V
连续漏极电流:45A
功率:70W
栅极电荷:52.2nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
导通电阻:14mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
栅极电荷:23nC@4.5V
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:46A€8.8A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:2.767nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: