品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:2.03nF@25V
连续漏极电流:45A€8.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI040P04D1-AQ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:59nC@10V
输入电容:3.538nF@20V
连续漏极电流:40A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:47.5nC@5V
输入电容:4.234nF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,9.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4.234nF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G75P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:106nC@10V
输入电容:5.38nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G90P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.331nF@60V
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
反向传输电容:612pF@60V
导通电阻:5.8mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:47.5nC@5V
输入电容:4.234nF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:1个P沟道
导通电阻:11mΩ@10V,9.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:9.95nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G90P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.331nF@60V
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
反向传输电容:612pF@60V
导通电阻:5.8mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G26P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:26A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G90P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:97nC@10V
输入电容:6.331nF@60V
连续漏极电流:90A
类型:1个P沟道
反向传输电容:612pF@60V
导通电阻:5.8mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€59.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.767nF@25V
连续漏极电流:46A€8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G75P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:106nC@10V
输入电容:5.38nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P04-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.451nF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4712G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:3.7nF@20V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
反向传输电容:290pF@20V
导通电阻:10mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: