品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2328CX RFG
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2328CX RFG
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:66W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:16.6nC@10V
输入电容:1.18nF@30V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:34mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.4nC@10V
输入电容:1.342nF@15V
连续漏极电流:62A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2328CX RFG
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:1.342nF@15V
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:40W
栅极电荷:25.4nC@10V
连续漏极电流:62A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:24nC@4.5V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2328CX RFG
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:975pF@25V
连续漏极电流:1.5A
功率:1.38W
阈值电压:2.5V@250μA
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:156mΩ@3A,10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:511pF@15V
类型:1个N沟道
栅极电荷:4.3nC@4.5V
漏源电压:60V
功率:1.25W
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存: