品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3462-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:785mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":700,"17+":41164}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19895}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1439-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19995}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1436-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@900mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":700,"17+":41164}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":210000,"11+":700,"14+":4200,"17+":2100,"18+":3099}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1450-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1431-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W€15W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:17.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1436-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@900mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1439-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3455-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:186pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@1.5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: