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    行业应用
    阈值电压
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    栅极电荷
    4.6nC@10V 42nC@10V 104nC@10V 8.9nC@10V 4.2nC@4.5V 1.15nC@5V 33nC@10V 5.9nC@10V 3.4nC@4.5V 26.7nC@10V 19.4nC@10V 5.5nC@10V 8.1nC@4.5V 14.5nC@10V 14.3nC@10V 17nC@5V 134nC@10V 47nC@8V 10.5nC@10V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 26nC@10V 39nC@10V 10.7nC@10V 90nC@10V 15.8nC@4.5V 20nC@4.5V 3nC@4.5V 92nC@10V 19.5nC@10V 31nC@5V 15.3nC@10V 8nC@5V 8.6nC@10V 9.4nC@10V 12nC@10V 38nC@10V 10.5nC@5V 79nC@10V 13.6nC@10V 2.7nC@4.5V 33.3nC@10V 9.5nC@5V 1.8nC@10V 13nC@10V 13nC@5V 291nC@10V 28.8nC@10V 25.2nC@10V 315nC@10V 4.5nC@10V 22nC@10V 130nC@10V 16.1nC@10V 25.1nC@10V 15.6nC@4.5V 17.1nC@10V 31nC@10V 198nC@10V 49.4nC@10V 125nC@10V 30nC@10V 3.3nC@10V 170nC@10V 40nC@10V 106nC@10V 118nC@10V 13nC@4.5V 4.1nC@4.5V 4.1nC@5V 95nC@10V 28nC@4.5V 5.2nC@4.5V 204nC@10V 57nC@4.5V 8.5nC@10V 10.9nC@10V 13.7nC@10V 182nC@10V 20nC@15V 22.6nC@10V 9.6nC@4.5V 108nC@10V 72.5nC@10V 56nC@20V 6.5nC@5V 8.3nC@4.5V 54nC@6V 95.4nC@10V 267nC@4.5V 30nC@4.5V 8.3nC@10V 6.5nC@4.5V 9.7nC@10V 112nC@10V 7nC@10V 29.1nC@10V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 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    连续漏极电流
    1.8A 200mA 4.5A 700mA 45A 25A 39A 3A 11.7A 41A 17A 250mA 1.4A 71A€200A 6.5A€21A 150mA 550mA 12A€12A 10.5A 3.7A€21A 5.6A 105A 12.1A 4.2A 65A 238mA 110A 2.5A 95A 120A 5.5A 15A€47A 13A€40A 27A 57A 900mA 11.4A 800mA 75A 260mA 26A 30A 310mA 24A 123A 19A€40A 1.6A 37A 20A€50A 32.7A 5.7A 9.6A 97A 38A 280A 31A€193A 340mA 300mA 6.1A 40A 24.7A€106A 98A 5.1A 19A€77.4A 18.1A 1.1A 20.2A 159A 50A€300A 4.4A 9A 44A 780mA 370A 2.2A 3.4A 6A€26A 5.5A€25A 78A 2.1A 6.5A 7.5A€19.2A 4.9A 287A 710mA 50A 480mA 8.5A 600mA 46A 760mA 12.5A€18A 3.5A 6.3A 173A 16A€65A 3.3A€3.6A 44A€124A 100A 590mA 2A 850mA 16.1A 24.7A€116A 28A 890mA 10.6A 48A 170mA 10.2A 230mA 12.5A 5A€32A 9A€23A 361mA 1.2A 88A 19A€28A 20A€40A 89A 215A 174A 9.1A 15A€60A 20.7A 22A€70A 36A€235A 9.8A€112A 194A 140A 1.24A 76A 220A 220mA 8.3A 8.9A 7.1A 790mA 9.4A 18A€80A 14.4A 240mA 13A€48A 2.3A 16A 360mA 14.1A 74A 11A 22A€90A 325A 1.05A 27.5A 360A 62A 10A€40A 13A 4.7A 660mA 4.8A 23A€100A 378A 36A 6.4A 5.8A 54A 7.6A 34.4A 180mA 145A 24.2A 17.5A 190mA 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9.7A€48A 15A€51A
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1.8万+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM040N03CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM040N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    谷峰 Mosfet场效应管 06N06L
    谷峰 Mosfet场效应管 06N06L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):06N06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@30V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7264E 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7264E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):20N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1609pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3402_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:34
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLTS6342TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLTS6342TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLTS6342TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@25V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K361TU,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K361TU,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF

    工作温度:175℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GS2N7002KW
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GS2N7002KW

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GS2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:33
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@30V

    连续漏极电流:6.3A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:23
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12500
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G1003A
    谷峰 Mosfet场效应管 G1003A

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1003A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:622pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
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