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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7182}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7182}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7182}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16401Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@12.5V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17312Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5240pF@15V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@35A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
